Сравнение

BSM150GB120DN2
Цена 0 47 480
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 363.1
вид монтажа Chassis Mount
категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория IGBTs
продукт IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки 10
тип продукта IGBT Modules
торговая марка Infineon Technologies
упаковка Tray
упаковка / блок Half Bridge2
длина 106.4 mm
pd - рассеивание мощности 1.25 kW
другие названия товара № SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1
технология Si
конфигурация Half Bridge
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 210 A
ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль