Сравнение

	BSM150GB120DN2
Цена	47 480 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	363.1
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	10
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tray
упаковка / блок	Half Bridge2
длина	106.4 mm
pd - рассеивание мощности	1.25 kW
другие названия товара №	SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Half Bridge
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	210 A
ток утечки затвор-эмиттер	320 nA