Сравнение

	APTGT50H60T3G
Цена	14 950 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	136.8
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	SP3
rohs status	RoHS Compliant
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 100 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Tube
упаковка / блок	SP3-32
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	SP3
pd - рассеивание мощности	176 W
base product number	APTGT50 ->
configuration	Full Bridge Inverter
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Full Bridge
input	Standard
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	80 A
ток утечки затвор-эмиттер	600 nA
current - collector (ic) (max)	80A
igbt type	Trench Field Stop
power - max	176W
vce(on) (max) @ vge, ic	1.9V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)	600V
current - collector cutoff (max)	250ВµA
input capacitance (cies) @ vce	3.15nF @ 25V
ntc thermistor	Yes