Сравнение

FGB20N60SF
Цена 0 800
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 800
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок D2PAK
серия FGB20N60SF
pd - рассеивание мощности 208 W
технология Si
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 40 A
ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль