Сравнение

AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 IXDN55N120D1, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,2кВ, Ic: 62А, SOT227B
Цена 0 0 12 710
Информация о производителе
Основные
number of outputs 1
minimum operating temperature -40В°C
maximum operating temperature 125В°C
output type Fixed
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: Through Hole SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Tube Reel, Cut Tape, MouseReel
output voltage 5V
output current 1A
Вес и габариты
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
line regulation: 25 mV 25 mV
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
package / case: TO-220-3 TO-252-2
moisture sensitive: Yes
вес, г 5.5
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Chassis Mount
operating temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case SOT-227-4, miniBLOC
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 10
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок SOT-227B-4
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия IXDN55N120
reach status REACH Unaffected
supplier device package SOT-227B
длина 38.23 mm
california prop 65 Warning Information
configuration Single
технология Si
конфигурация Single Dual Emitter
input Standard
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
непрерывный коллекторный ток 100 A
непрерывный ток коллектора ic, макс. 100 A
current - collector (ic) (max) 100A
igbt type NPT
power - max 450W
vce(on) (max) @ vge, ic 2.8V @ 15V, 55A
voltage - collector emitter breakdown (max) 1200V
current - collector cutoff (max) 3.8mA
input capacitance (cies) @ vce 3.3nF @ 25V
ntc thermistor No
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль