Сравнение

	AP7383-44W5-7	IXDN55N120D1, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,2кВ, Ic: 62А, SOT227B
Цена	0 ₽	12 710 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	5.5
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Chassis Mount
operating temperature	—	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	SOT-227-4, miniBLOC
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	IGBTs
размер фабричной упаковки	—	10
тип продукта	—	IGBT Transistors
торговая марка	—	IXYS
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	SOT-227B-4
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	IXDN55N120
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	SOT-227B
длина	—	38.23 mm
california prop 65	—	Warning Information
configuration	—	Single
технология	—	Si
конфигурация	—	Single Dual Emitter
input	—	Standard
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	2.3 V
непрерывный коллекторный ток	—	100 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	—	100 A
current - collector (ic) (max)	—	100A
igbt type	—	NPT
power - max	—	450W
vce(on) (max) @ vge, ic	—	2.8V @ 15V, 55A
voltage - collector emitter breakdown (max)	—	1200V
current - collector cutoff (max)	—	3.8mA
input capacitance (cies) @ vce	—	3.3nF @ 25V
ntc thermistor	—	No