Сравнение

	RGT50TS65DGC11
Цена	860 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	38
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	450
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	RGT50TS65D
pd - рассеивание мощности	174 W
другие названия товара №	RGT50TS65D
диапазон рабочих температур	40 C to + 175 C
Вес и габариты	—
технология	Si
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	48 A
ток утечки затвор-эмиттер	+/- 200 nA
непрерывный коллекторный ток	25 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	48 A