Сравнение

	AP7383-44W5-7	APTGT50DDA120T3G
Цена	0 ₽	15 400 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	110
вид монтажа	—	Chassis Mount
категория продукта	—	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	IGBTs
продукт	—	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	—	1
тип продукта	—	IGBT Modules
торговая марка	—	Microsemi
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	SP3F-32
pd - рассеивание мощности	—	270 W
конфигурация	—	Dual
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	75 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	400 nA