Сравнение

	APT35GT120JU3
Цена	6 210 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Tube
упаковка / блок	ISOTOP-4
pd - рассеивание мощности	260 W
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	55 A
ток утечки затвор-эмиттер	500 nA