Сравнение

APT60GF120JRDQ3
Цена 0 22 450
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория IGBTs
продукт IGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки 1
тип продукта IGBT Modules
торговая марка Microchip / Microsemi
упаковка Tube
упаковка / блок ISOTOP-4
pd - рассеивание мощности 625 W
технология SiC
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 149 A
ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль