Сравнение

	FGP10N60UNDF
Цена	0 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	800
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	FGP10N60UNDF
pd - рассеивание мощности	139 W
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.3 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	10 A
ток утечки затвор-эмиттер	+/- 10 uA