Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	IKW40T120
Цена	0 ₽	0 ₽	4 330 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	—	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	40 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	IGBTs
продукт	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	—	240
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	IGBT Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated	—	Infineon Technologies
упаковка / блок	SOT-23-3	—	TO-247-3
серия	AP7384	—	TRENCHSTOP IGBT
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
package / case	—	—	TO-247-3
упаковка	—	—	Tube
длина	—	—	15.9 mm
коммерческое обозначение	—	—	TRENCHSTOP
minimum operating temperature	—	—	-40 C
factory pack quantity	—	—	240
manufacturer	—	—	Infineon
maximum operating temperature	—	—	+150 C
mounting style	—	—	Through Hole
packaging	—	—	Tube
product category	—	—	IGBT Transistors
product type	—	—	IGBT Transistors
series	—	—	TRENCHSTOP IGBT
subcategory	—	—	IGBTs
pd - рассеивание мощности	—	—	270 W
другие названия товара №	—	—	IKW40T120FKSA1 IKW4T12XK SP000013940
configuration	—	—	Single
tradename	—	—	TRENCHSTOP
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
part # aliases	—	—	IKW40T120FKSA1 IKW4T12XK SP000013940
technology	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	270 W
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	—	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	—	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	—	1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	—	75 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	—	600 nA
maximum gate emitter voltage	—	—	20 V
collector- emitter voltage vceo max	—	—	1200 V
collector-emitter saturation voltage	—	—	1.7 V
continuous collector current at 25 c	—	—	75 A
gate-emitter leakage current	—	—	600 nA