Сравнение

	IGB30N60H3
Цена	1 150 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-263-3
серия	HighSpeed 3
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	187 W
другие названия товара №	IGB30N60H3ATMA1 IGB3N6H3XT SP000852240
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.95 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	60 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA