Сравнение

APT50GN120B2G
Цена 2 810
Информация о производителе
Основные
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Through Hole
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-247-3 Variant
rohs status RoHS Compliant
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 1
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка Microsemi
упаковка Tube
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
base product number APT50GN120 ->
input type Standard
Вес и габариты
технология Si
current - collector (ic) (max) 134A
current - collector pulsed (icm) 150A
gate charge 315nC
igbt type NPT, Trench Field Stop
power - max 543W
switching energy 4495ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c 28ns/320ns
vce(on) (max) @ vge, ic 2.1V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max) 1200V
test condition 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль