Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	IGB15N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 35 А, 1.35 В, 105 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Цена	0 ₽	0 ₽	340 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	40 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	IGBTs
продукт	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	2000	—	1000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	IGBT Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated	—	Infineon Technologies
упаковка	Ammo Pack	—	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-92-3	—	TO-263-3
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	0.1
pd - рассеивание мощности	—	—	105 W
другие названия товара №	—	—	IGB15N65S5 SP001502560
конфигурация	—	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	—	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	—	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	—	1.35 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	—	35 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	—	100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	—	—	35 A