Сравнение

IGB15N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 35 А, 1.35 В, 105 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Цена 0 340
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 0.1
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка Infineon Technologies
упаковка Reel, Cut Tape
упаковка / блок TO-263-3
pd - рассеивание мощности 105 W
другие названия товара № IGB15N65S5 SP001502560
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.35 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 35 A
ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс. 35 A
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль