0
Избранное
Товар добавлен в список избранных
0
Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0
Корзина
Товар добавлен в корзину!
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220] com Pb Free Product NCE3050 NCE N-Channel Enhancement Mod e Power MOSFET Description The NCE3050 uses advanced trench technology and des ign to provide excellent RDS(ON) with l ow gate charge.
It can be used in a wid e variety of applications.
General Fea tures
• VDS =30V,ID =50A RDS(ON) < 9m Ω @ VGS=10V RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=4.
5V Schematic diagram
• High density cell design for ultra low Rdson
• Fu lly characterized avalanche voltage and current
• Good stability and uniform ity with high EAS
• Excellent package for good heat dissipation
• Special process technology for high ES .")
![Ультразвуковой цилиндр со сколами диаметром 14мм и толщиной 12мм, 100кГц; пэу 14 x12\цилиндр\100кГц\](/wa-data/public/shop/products/71/16/101671/images/129925/129925.300x0.jpg "Ультразвуковой цилиндр со сколами диаметром 14мм и толщиной 12мм, 100кГц; пэу 14 x12\цилиндр\100кГц\ Ультразвуковой цилиндр со сколами диаметром 14мм и толщиной 12мм, 100кГц; пэу 14 x12\цилиндр\100кГц\")