Name: BC857BV,115, Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications BC857BV/SOT666/SOT6
Brand: Nexperia B.V.
SKU: BC857BV,115

BC857BV,115, Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications BC857BV/SOT666/SOT6

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC857BV,115, Bipolar Transistors - BJT NRND ...

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Nexperia B.V.
Бренд	Nexperia B.V.

Все характеристики

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTMarket demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Nexperia B.V.
Бренд	Nexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo:	50 V
collector-emitter saturation voltage:	400 mV
collector- emitter voltage vceo max:	45 V
configuration:	Dual
continuous collector current:	-100 mA
dc collector/base gain hfe min:	200
dc current gain hfe max:	200 at 2 mA, 5 V
dc ток коллектора	-100мА
dc усиление тока hfe	200hFE
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	4000
gain bandwidth product ft:	100 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов	6вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150 C
manufacturer:	Nexperia
maximum collector base voltage	50 V
maximum collector emitter voltage	45 V
maximum dc collector current	100 mA
maximum dc collector current:	100 mA
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating frequency	100 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum operating temperature:	+150 C
maximum power dissipation	200 mW
minimum dc current gain	200
minimum operating temperature:	-65 C
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting style:	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
напряжение коллектор-эмиттер	-45В
number of elements per chip	2
package / case:	SOT-666-6
package type	SSMini
партномер	8004639724
part # aliases:	9,34057E+11
pd - power dissipation:	300 mW
pin count	6
полярность транзистора	PNP
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
qualification:	AEC-Q101
рассеиваемая мощность	200мВт
стиль корпуса транзистора	SOT-666
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor configuration	Isolated
transistor polarity:	PNP
transistor type	PNP
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Время загрузки	23:05:38

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Nexperia B.V.115 Транзисторы биполярные (BJTs)BC857BV