Name: BC847PN-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Brand: DIODES INC.
SKU: BC847PN-7-F

BC847PN-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC847PN-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR

Подробное описание

Бренд: DIODES INC.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.

Все характеристики

100 ₽

– +

Бонус: 2 !

Бонусная программа

Итого: 100 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTThe BC847PN-7-F is a NPN-PNP complementary pair small signal Bipolar Transistor ideal for medium power amplification and switching. It has two internally isolated transistors in one package. • UL94V-0 Flammability rating• Epitaxial die construction• Halogen-free, Green device• -65 to 150°C Operating temperature range

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
частота перехода ft	300МГц
collector- base voltage vcbo:	50 V
collector-emitter saturation voltage:	200 mV
collector- emitter voltage vceo max:	45 V
configuration:	Dual
dc collector/base gain hfe min:	200
dc усиление тока hfe	290hFE
emitter- base voltage vebo:	6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	300 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов	6вывод(-ов)
квалификация	-
линейка продукции	-
максимальная рабочая температура	150°C
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum collector base voltage	50 V
maximum collector emitter voltage	45 V
maximum dc collector current	100 mA
maximum dc collector current:	100 mA
maximum emitter base voltage	6 V
maximum operating frequency	200 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum operating temperature:	+150 C
maximum power dissipation	200 mW
minimum dc current gain	200, 220
minimum operating temperature:	-65 C
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting style:	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	2
package / case:	SOT-363-6
package type	SOT-363(SC-88)
партномер	8005058142
pd - power dissipation:	200 mW
pin count	6
полярность транзистора	NPN, PNP
power dissipation	200мВт
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	BC847P
стиль корпуса транзистора	SOT-363
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor configuration	Isolated
transistor polarity:	NPN, PNP
transistor type	NPN/PNP
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Время загрузки	22:20:49

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

DIODES INC.Транзисторы биполярные (BJTs)BC847PN-7-F