ZVP0545GTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -450В, -0,075А, 2Вт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZVP0545GTA
Кнопки, переключатели, разъемы, реле Разъемы Питания Diodes ZVP0545GTA, Транзистор P-MOSFET, полевой ...
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
channel modeEnhancement
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
channel modeEnhancement
channel mode:Enhancement
channel typeP
configuration:Single
Дата загрузки29.03.2024
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
fall time:20 ns
forward transconductance - min:40 mS
id - continuous drain current:75 mA
категорияКнопки, переключатели, разъемы, реле/Разъемы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum continuous drain current75 mA
maximum drain source resistance150 Ω
maximum drain source voltage450 V
maximum gate source voltage-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage4.5V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation2 W
minimum operating temperature-55 °C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of channels:1 Channel
number of elements per chip1
operating temperature-55℃~+150℃@(Tj)
package / case:SOT-223-3
package typeSOT-223
партномер8002509202
pd - power dissipation:2 W
pin count3
product category:MOSFET
product type:MOSFET
rds on - drain-source resistance:150 Ohms
rise time:15 ns
series:ZVP0545
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor materialSi
transistor polarity:P-Channel
transistor type:1 P-Channel
typeP Channel
type:FET
typical turn-off delay time:15 ns
typical turn-on delay time:10 ns
vds - drain-source breakdown voltage:450 V
вес, г0.15
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1.5 V
Время загрузки12:43:16
width3.7mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль