2SC3326-A,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC3326-A,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SC3326-A,LF, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTBipolar TransistorsToshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberHN2D02 ->
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:42 mV
collector- emitter voltage vceo max:20 V
configuration:Single
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)300mA
dc collector/base gain hfe min:200
dc current gain hfe max:1200
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 4mA, 2V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:25 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
frequency - transition30MHz
gain bandwidth product ft:30 MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Toshiba
maximum dc collector current:300 mA
maximum operating temperature:+125 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
operating temperature125В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package/case:TO-236-3
партномер8004726720
pd - power dissipation:150 mW
power - max150mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
rohs statusRoHS Compliant
series:2SC3326
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-236
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic100mV @ 3mA, 30mA
voltage - collector emitter breakdown (max)20V
Время загрузки23:48:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль