Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 200V N-CH HEXFET HEXDI
Основные
вес, г
0.32
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
mounting type
Through Hole
operating temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package
Tube
package / case
4-DIP (0.300"", 7.62mm)
rohs status
ROHS3 Compliant
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
2500
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Vishay Semiconductors
упаковка
Tube
упаковка / блок
DIP-4
eccn
EAR99
htsus
8541.29.0095
серия
IRFD
supplier device package
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
время нарастания
22 ns
время спада
13 ns
pd - рассеивание мощности
1 W
количество каналов
1 Channel
base product number
IRFD220 ->
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
technology
MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки
800 mA
qg - заряд затвора
14 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
800 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
канальный режим
Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
0.6 S
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel
типичное время задержки выключения
19 ns
типичное время задержки при включении
7.2 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c
800mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)
200V
drive voltage (max rds on, min rds on)
10V
fet type
N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs
14nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds
260pF @ 25V
power dissipation (max)
1W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs
800mOhm @ 480mA, 10V
vgs (max)
В±20V
vgs(th) (max) @ id
4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26