C3M0120090D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 23А, 97Вт, TO247-3, SiC
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:C3M0120090D
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Основные
вес, г
6.25
package / case
TO-247-3
type
Silicon Carbide MOSFET
minimum operating temperature
-55 C
factory pack quantity
30
manufacturer
Cree, Inc.
maximum operating temperature
+150 C
mounting style
Through Hole
packaging
Tube
product category
MOSFET
product type
MOSFET
subcategory
MOSFETs
configuration
Single
fall time
8 ns
rise time
10 ns
number of channels
1 Channel
Вес и габариты
product
Power MOSFET
technology
SiC
pd - power dissipation
97 W
channel mode
Enhancement
rds on - drain-source resistance
120 mOhms
transistor polarity
N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage
900 V
id - continuous drain current
23 A
typical turn-on delay time
27 ns
typical turn-off delay time
25 ns
qg - gate charge
17.3 nC
vgs th - gate-source threshold voltage
2.1 V
кол-во в упаковке
1
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26