TPS1100D, Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:TPS1100D
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity:
75
manufacturer:
Texas Instruments
maximum operating temperature:
+150 C
minimum operating temperature:
-40 C
mounting style:
SMD/SMT
product category:
MOSFET
product type:
MOSFET
product:
MOSFET Small Signal
series:
TPS1100
subcategory:
MOSFETs
type:
MOSFET
packaging:
Tube
Вес и габариты
package/case:
SOIC-8
pd - power dissipation:
791 mW
number of channels:
1 Channel
technology:
Si
configuration:
Single
channel mode:
Enhancement
id - continuous drain current:
1.6 A
qg - gate charge:
5.45 nC
rds on - drain-source resistance:
180 mOhms
transistor polarity:
P-Channel
transistor type:
1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:
15 V
vgs - gate-source voltage:
-15 V, +2 V
vgs th - gate-source threshold voltage:
1.5 V
typical turn-off delay time:
13 ns
typical turn-on delay time:
4.5 ns
forward transconductance - min:
2.5 S
fall time:
10 ns
rise time:
10 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26