TP65H070LDG
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 650V 25A (Tc) 96W (Tc) Поверхностный монтаж 3-PQFN (8x8)
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 3 (168 Hours) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | 3-PowerDFN |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| supplier device package | 3-PQFN (8x8) |
| series | TP65H070L -> |
| вид монтажа: | SMD/SMT |
| категория продукта: | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура: | +150 c |
| минимальная рабочая температура: | -55 C |
| подкатегория: | MOSFETs |
| производитель: | Transphorm |
| размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки: | 600 |
| серия: | TP65H |
| тип продукта: | MOSFET |
| торговая марка: | Transphorm |
| упаковка: | Tube |
| упаковка / блок: | PQFN-3 |
| время нарастания: | 7.5 ns |
| время спада: | 8.2 ns |
| Вес и габариты | |
| чувствительный к влажности: | Yes |
| technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| pd - рассеивание мощности: | 96 W |
| количество каналов: | 1 Channel |
| технология: | GaN |
| конфигурация: | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 25A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 650V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 9.3nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 600pF @ 400V |
| power dissipation (max) | 96W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 4.8V @ 700ВµA |
| id - непрерывный ток утечки: | 25 A |
| qg - заряд затвора: | 9.3 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток: | 85 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток: | 650 V |
| vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4.8 V |
| канальный режим: | Enhancement |
| полярность транзистора: | N-Channel |
| тип транзистора: | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения: | 45 ns |
| типичное время задержки при включении: | 29 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
