STP24NF10, МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 100 В, 0.055 Ом, 10 В, 3 В

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP24NF10
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет...
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
manufacturer:STMicroelectronics
maximum operating temperature:+175 C
minimum operating temperature:-55 C
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
manufacturer:STMicroelectronics
maximum operating temperature:+175 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:STP24NF10
subcategory:MOSFETs
type:MOSFET
packaging:Tube
Вес и габариты
package/case:TO-220-3
tradename:STripFET
pd - power dissipation:85 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:26 A
qg - gate charge:30 nC
rds on - drain-source resistance:60 mOhms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel Power MOSFET
vds - drain-source breakdown voltage:100 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2 V
typical turn-off delay time:50 ns
typical turn-on delay time:60 ns
forward transconductance - min:10 S
fall time:20 ns
rise time:15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль