STN1HNK60, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,4А, 3,3Вт, SOT223
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STN1HNK60
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 600 В 400 мА (Tc) 3,3 Вт (Tc) для поверхностного монтажа SOT-223
| Основные | |
| вес, г | 0.25 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | SOT-223 |
| pin count | 4 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| series | SuperMESHв„ў -> |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| lead shape | Gull-wing |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-223 |
| base product number | STN1HNK60 -> |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 3300 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single Dual Drain |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| hts | 8541.29.00.95 |
| package height | 1.8(Max) |
| package length | 6.5 |
| package width | 3.5 |
| process technology | SuperMESH |
| Вес и габариты | |
| number of elements per chip | 1 |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| other related documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| tab | Tab |
| рассеиваемая мощность | 3.3Вт |
| power dissipation | 3.3Вт |
| напряжение истока-стока vds | 600В |
| полярность транзистора | N Канал |
| стиль корпуса транзистора | SOT-223 |
| непрерывный ток стока | 500мА |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 8Ом |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| пороговое напряжение vgs | 3В |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 0.4 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 8500@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 600 |
| maximum gate source voltage (v) | ±30 |
| typical fall time (ns) | 25 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 7 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 7@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 156@25V |
| typical rise time (ns) | 5 |
| typical turn-off delay time (ns) | 19 |
| typical turn-on delay time (ns) | 6.5 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 400mA (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 600V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 10nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 156pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 3.3W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs(th) (max) @ id | 3.7V @ 250ВµA |
| military | No |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| drain source on state resistance | 8Ом |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
