STI24NM60N

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
Основные
вес, г1.438
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
1 760
+
Бонус: 35.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 760
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
Основные
вес, г1.438
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-262-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTI24NM60N
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageI2PAK
коммерческое обозначениеMDmesh
seriesMDmeshв„ў II ->
количество каналов1 Channel
base product numberSTI24 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки17 A
rds вкл - сопротивление сток-исток168 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c17A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs46nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1400pF @ 50V
power dissipation (max)125W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs190mOhm @ 8A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль