STF11NM60ND

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
Основные
вес, г0.33
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 360
+
Бонус: 27.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
Основные
вес, г0.33
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTF11NM60ND
длина10.4 mm
время нарастания7 ns
время спада9 ns
коммерческое обозначениеFDmesh
pd - рассеивание мощности90 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки10 A
qg - заряд затвора30 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток450 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.7.5 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения50 ns
типичное время задержки при включении16 ns
Высота 9.3 мм
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль