SIRC04DP-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
время нарастания55 ns
время спада9 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности50 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки60 A
qg - заряд затвора16.6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток3.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, - 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.140 S
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения25 ns
типичное время задержки при включении30 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль