SIRA18BDP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 40 А, 0.0055 Ом, PowerPAK SO, Surface Mou

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIRA18BDP-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность17Вт
power dissipation17Вт
напряжение истока-стока vds30В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока40А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0055Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.4В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0055Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль