SIR688DP-T1-GE3, MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIR688DP-T1-GE3
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Основные
вес, г0.51
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:Vishay
maximum operating temperature:+150 C
600
+
Бонус: 12 !
Бонусная программа
Итого: 600
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Основные
вес, г0.51
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:Vishay
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:SIR
subcategory:MOSFETs
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
package/case:PowerPAK-SO-8
tradename:TrenchFET, PowerPAK
pd - power dissipation:83 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:60 A
qg - gate charge:66 nC
rds on - drain-source resistance:2.9 mOhms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:60 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1.3 V
typical turn-off delay time:31 ns
typical turn-on delay time:15 ns
forward transconductance - min:70 S
fall time:8 ns
rise time:8 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль