SIDR170DP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 95 А, 0.004 Ом, PowerPAK SO-DC, Surface Mo
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SIDR170DP-T1-RE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 100V N-CH МОП-транзистор (D-S)
Основные
вес, г
0.35
вид монтажа
SMD/SMT
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
3000
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Vishay / Siliconix
упаковка
Reel, Cut Tape
упаковка / блок
SO-8
время нарастания
10 ns
время спада
10 ns
pd - рассеивание мощности
125 W
другие названия товара №
SIDR170DP
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
95 A
qg - заряд затвора
93 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
4.8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
канальный режим
Enhancement
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel
типичное время задержки выключения
48 ns
типичное время задержки при включении
18 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26