SI4866DY-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI4866DY-T1-E3
Основные
pin count8
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
pin count8
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusNRND
pcb changed8
standard package nameSOP
supplier packageSOIC N
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)3000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle Quad Drain Triple Source
hts8541.29.00.95
package height1.55(Max)
package length5(Max)
package width4(Max)
process technologyTrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeN
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)11
maximum drain source resistance (mohm)5.5@4.5V
maximum drain source voltage (v)12
maximum gate source voltage (v)±8
typical fall time (ns)35
typical gate charge @ vgs (nc)21@4.5V
typical rise time (ns)32
typical turn-off delay time (ns)82
typical turn-on delay time (ns)28
militaryNo
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль