SI4835DDY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI4835DDY-T1-GE3
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance18mО© @ 10A,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
64
+
Бонус: 1.28 !
Бонусная программа
Итого: 64
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance18mО© @ 10A,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c13A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)5.6W(Tc)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль