SI4459BDY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 27.8 А, 0.0041 Ом, SOIC, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI4459BDY-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор -30V Vds 16V Vgs SO-8
Основные
вес, г0.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура150 C
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор -30V Vds 16V Vgs SO-8
Основные
вес, г0.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокSO-8
время нарастания6 ns
время спада10 ns
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности5.6 W
количество каналов1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeP Channel
рассеиваемая мощность5.6Вт
power dissipation5.6Вт
напряжение истока-стока vds30В
id - непрерывный ток утечки27.8 A
qg - заряд затвора56 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.6 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.81 S
полярность транзистораP Канал
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения39 ns
типичное время задержки при включении15 ns
стиль корпуса транзистораSOIC
непрерывный ток стока27.8А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0041Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.2В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0041Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль