RS3E095BNGZETB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 30V 9.5A Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RS3E095BN
id - непрерывный ток утечки9.5 A
канальный режимEnhancement
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 30V 9.5A Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RS3E095BN
id - непрерывный ток утечки9.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6.5 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора16.3 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток11.9 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения33 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSOP-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания19 ns
время спада7 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль