IXTH26N60P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
Вес и габариты
длина16.26 mm
Высота 21.46 мм
id - непрерывный ток утечки26 A
2 260
+
Бонус: 45.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
Вес и габариты
длина16.26 mm
Высота 21.46 мм
id - непрерывный ток утечки26 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPolarHV
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.16 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности460 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора72 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток270 mOhms
серияIXTH26N60
технологияSi
типичное время задержки при включении25 ns
типичное время задержки выключения75 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипPolarHV Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г6.5
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания27 ns
время спада21 ns
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль