IXFX32N100Q3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-Channel 1000V 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247в„ў-3
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c32A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1000V
7 790
+
Бонус: 155.8 !
Бонусная программа
Итого: 7 790
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-Channel 1000V 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247в„ў-3
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c32A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1000V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs195nC @ 10V
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки32 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds9940pF @ 25V
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHyperFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
pd - рассеивание мощности1.25 kW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)1250W (Tc)
qg - заряд затвора195 nC
размер фабричной упаковки30
rds on (max) @ id, vgs320mOhm @ 16A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток320 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesHiPerFETв„ў ->
серияIXFX32N100
supplier device packagePLUS247в„ў-3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
vgs (max)В±30V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs(th) (max) @ id6.5V @ 8mA
вид монтажаThrough Hole
время нарастания250 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль