IRFU5305PBF, Транзистор P-МОП, полевой, 55В 28А [I-PAK]
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFU5305PBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Основные | |
Производитель | Infineon |
Вес и габариты | |
automotive | No |
base product number | IRFU5305 -> |
channel mode | Enhancement |
channel type | P |
число контактов | 3 |
configuration | Single |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 31A (Tc) |
длина | 6.6мм |
drain to source voltage (vdss) | 55V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
eccn | EAR99 |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant with Exemption |
fet type | P-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 63nC @ 10V |
Высота | 6.1 мм |
htsus | 8541.29.0095 |
id - непрерывный ток утечки | 31 A |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1200pF @ 25V |
канальный режим | Enhancement |
категория | Мощный МОП-транзистор |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество элементов на ис | 1 |
количество каналов | 1 Channel |
конфигурация | Single |
крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 8 S |
lead shape | Through Hole |
максимальная рабочая температура | +175 °C |
максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
максимальное рассеяние мощности | 110 Вт |
максимальное сопротивление сток-исток | 65 мΩ |
максимальный непрерывный ток стока | 31 A |
material | Si |
материал транзистора | SI |
maximum continuous drain current (a) | 31 |
maximum diode forward voltage (v) | 1.3 |
maximum drain source resistance (mohm) | 65 10V |
maximum drain source voltage (v) | 55 |
maximum gate source leakage current (na) | 100 |
maximum gate source voltage (v) | ±20 |
maximum gate threshold voltage | 4V |
maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
maximum idss (ua) | 25 |
maximum junction ambient thermal resistance on pcb (°c/w) | 50 |
maximum operating temperature (°c) | 175 |
maximum positive gate source voltage (v) | 20 |
maximum power dissipation (mw) | 110000 |
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a) | 110 |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
minimum gate threshold voltage | 2V |
minimum gate threshold voltage (v) | 2 |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting | Through Hole |
mounting type | Through Hole |
номер канала | Поднятие |
number of elements per chip | 1 |
operating junction temperature (°c) | -55 to 175 |
operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
package | Tube |
package / case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
packaging | Tube |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 110 W |
pin count | 3 |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | P-Channel |
power dissipation (max) | 110W (Tc) |
ppap | No |
process technology | HEXFET |
product category | Power MOSFET |
qg - заряд затвора | 42 nC |
размеры | 6.6 x 2.3 x 6.1мм |
размер фабричной упаковки | 3000 |
rds on (max) @ id, vgs | 65mOhm @ 16A, 10V |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
reach status | REACH Unaffected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | HEXFETВ® -> |
серия | HEXFET |
standard package name | TO-251 |
supplier device package | IPAK (TO-251) |
supplier package | IPAK |
tab | Tab |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
технология | Si |
типичная входная емкость при vds | 1200 pF@ 25 V |
типичное время задержки при включении | 14 ns |
типичное время задержки включения | 14 ns |
типичное время задержки выключения | 39 нс |
типичный заряд затвора при vgs | 63 nC @ 10 V |
тип канала | P |
тип корпуса | IPAK (TO-251) |
тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
тип продукта | MOSFET |
тип транзистора | 1 P-Channel |
торговая марка | Infineon / IR |
transistor configuration | Одинарный |
typical fall time (ns) | 63 |
typical gate charge @ 10v (nc) | 63(Max) |
typical gate charge @ vgs (nc) | 63(Max)10V |
typical gate plateau voltage (v) | 5.9 |
typical gate to drain charge (nc) | 29(Max) |
typical gate to source charge (nc) | 13(Max) |
typical input capacitance @ vds (pf) | 1200 25V |
typical output capacitance (pf) | 520 |
typical reverse recovery charge (nc) | 170 |
typical reverse recovery time (ns) | 71 |
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf) | 250 25V |
typical rise time (ns) | 66 |
typical turn-off delay time (ns) | 39 |
typical turn-on delay time (ns) | 14 |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-251-3 |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
вес, г | 0.71 |
vgs (max) | В±20V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
вид монтажа | Through Hole |
время нарастания | 66 ns |
время спада | 63 ns |
Ширина | 2.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26