Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторовкорпус: SO-8, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 10 А, 2ВтSP001555820

Подробное описание

Вес и габариты
количество выводов	8вывод(-ов)
линейка продукции	HEXFET
максимальная рабочая температура	150 C

Все характеристики

250 ₽

– +

Бонус: 5 !

Бонусная программа

Итого: 250 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
количество выводов	8вывод(-ов)
линейка продукции	HEXFET
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	20В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	10А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	2.55В
рассеиваемая мощность	2Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0107Ом
стиль корпуса транзистора	SOIC
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вес, г	0.2

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IRF8910TRPBF