IRF3710STRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF3710STRLPBF
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c57A
длина6.5 mm
Высота 2.3 мм
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c57A
длина6.5 mm
Высота 2.3 мм
id - непрерывный ток утечки57 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.32 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности200 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)200W
qg - заряд затвора130 nC
размер фабричной упаковки800
rds on - drain-source resistance23mО© @ 28A,10V
rds вкл - сопротивление сток-исток23 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения45 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon / IR
transistor polarityN Channel
упаковка / блокTO-252-3
vds - drain-source breakdown voltage100V
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - gate-source voltage4V @ 250uA
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания58 ns
время спада47 ns
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль