Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W

Подробное описание

360 ₽

– +

Бонус: 7.2 !

Бонусная программа

Итого: 360 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	40 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	2.9 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	36 nC
размер фабричной упаковки	2500
rds вкл - сопротивление сток-исток	28 mOhms
серия	DMNH10H028
технология	Si
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	PowerDI5060-8
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
вес, г	0.096
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

DMNH10H028SPS-13