DMN10H099SFG-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки4.2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки4.2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerDI
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.31 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора25.2 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток99 mOhms
серияDMN10
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокPowerDI3333-8
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г0.072
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль