ZXTP2012Z

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2012Z
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1384
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANS,PNP,LO SAT,60V,4.3A,SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:120MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:-4.3A; DC Current Gain hFE:250hFE; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (15-Jan-2019); Gain Bandwidth ft Typ:120MHz; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1384
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo-100 V
collector-emitter saturation voltage-160 mV
collector- emitter voltage vceo max-60 V
configurationSingle
continuous collector current-4.3 A
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft120 MHz
height1.6 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length4.6 mm(Max)
manufacturerDIODES INCORPORATED
maximum dc collector current4.3 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-89-3
packagingCut Tape
партномер8002027892
pd - power dissipation2100 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesZXTP2012
transistor polarityPNP
unit weight0.001834 oz
Время загрузки0:10:12
width2.6 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль