ZXTP03200BGTA, Package/Enclosure SOT2233

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP03200BGTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP03200BGTA, Package/Enclosure SOT2233
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft105МГц
dc усиление тока hfe20hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)220 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер37 mV
партномер8003586729
pd - рассеивание мощности11.9 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation5.8Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)105 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияZXTP032
стиль корпуса транзистораSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:27:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль