TIP42AG, 60V 65W 15@3A,4V 6A 3MHz 1.5V@6A,600mA PNP -65°C~+150°C@(Tj) TO-220 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TIP42AG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor TIP42AG, 60V 65W 15@3A,4V 6A 3MHz ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.06.2024
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 6A 60V 65W PNP
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.06.2024
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft3МГц
collector emitter voltage max60В
continuous collector current
dc current gain hfe min15hFE
dc усиление тока hfe15hFE
длина10.53 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
минимальная рабочая температура65 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток6 A
партномер8017646474
pd - рассеивание мощности65 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation65Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)3 MHz
размер фабричной упаковки50
серияTIP42
стиль корпуса транзистораTO-220
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:48:50
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль