SI4435DY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8,8А, 2,5Вт, SO8
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI4435DY
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density.
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.13 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| channel mode | Enhancement |
| channel mode: | Enhancement |
| channel type | P |
| configuration: | Single |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 2500 |
| fall time: | 25 ns |
| forward diode voltage | 1.2V |
| forward transconductance - min: | 24 S |
| id - continuous drain current: | 8.8 A |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| manufacturer: | onsemi |
| maximum continuous drain current | 8.8 A |
| maximum drain source resistance | 35 mΩ |
| maximum drain source voltage | 30 V |
| maximum gate source voltage | -20 V, +20 V |
| maximum operating temperature | +175 °C |
| maximum operating temperature: | +175 C |
| maximum power dissipation | 2.5 W |
| minimum gate threshold voltage | 1V |
| minimum operating temperature | -55 °C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| mounting style: | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of channels: | 1 Channel |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case: | SOIC-8 |
| package type | SOIC |
| партномер | 8023553246 |
| part # aliases: | SI4435DY_NL |
| pd - power dissipation: | 2.5 W |
| pin count | 8 |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| qg - gate charge: | 24 nC |
| rds on - drain-source resistance: | 20 mOhms |
| rise time: | 13.5 ns |
| series | PowerTrench |
| series: | SI4435DY |
| subcategory: | MOSFETs |
| technology: | Si |
| tradename: | PowerTrench |
| transistor configuration | Single |
| transistor material | Si |
| transistor polarity: | P-Channel |
| transistor type: | 1 P-Channel |
| type: | MOSFET |
| typical gate charge @ vgs | 17 nC @ 5 V |
| typical turn-off delay time: | 42 ns |
| typical turn-on delay time: | 13 ns |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 30 V |
| vgs - gate-source voltage: | -20 V, +20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 3 V |
| Время загрузки | 0:50:17 |
| width | 3.9mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
