PBSS5330X

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PBSS5330X
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Электроэлемент100nA 30V 1.4W 175@1A,2V 3A 100MHz 320mV@3A,300mA PNP +150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo30 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft100 MHz
height1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length4.6 mm
manufacturerNexperia
maximum dc collector current3 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseUPAK-3
packagingReel
партномер8002990649
part # aliasesPBSS5330X T/R
pd - power dissipation1600 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
transistor polarityPNP
Время загрузки1:22:25
width2.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль