NSVMUN5333DW1T1G, 80@5mA,10V 1 NPN,1 PNP PreBiased 250mW 100mA 50V 500nA SOT363 Digital Transistors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVMUN5333DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVMUN5333DW1T1G, 80@5mA,10V 1 NPN,1 PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
18
+
Бонус: 0.36 !
Бонусная программа
Итого: 18
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Dual
continuous collector current:100 mA
dc collector/base gain hfe min:80
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
package / case:SOT-363
партномер8017361822
pd - power dissipation:187 mW
peak dc collector current:500 mA
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualification:AEC-Q101
series:DTC143ZP
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN, PNP
typical input resistor:4.7 kOhms
Время загрузки0:15:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль